一顆Flash芯片可能有多個R/B，如果主控芯片只有一個R/B的話，會把Flash的多個R/B直接連在一起，再連到主控芯片。Flash芯片的R/B輸出是開漏(open drain)的，所以只要一個R/B是低電平，那麼連到一起的也是低電平。
所以當主控看到R/B為低時，就知道Flash芯片中至少有一個處於busy狀態。
反之，R/B為高則說明每個Flash都處於ready狀態。
如果要知道到底是哪個Flash處於busy狀態的話，只能用status read命令來查詢了。
以Page Program(80h 10h)為例。假設當前連接了兩個Flash單片到主控，共2個CE，一個R/B。
所以有以下兩種做法：
先給CE1發一個Page Program的command（當然中間包含數據），
再給CE2發一個Page Program的command。
因為在對應的Flash芯片回到ready狀態前都不能發下一個Page Program命令。
(1)等到R/B信號線拉高，表示兩個Flash都回到ready狀態，這時再重複Page Program
(2) 給CE1發Status Read命令，如果讀到的ready/busy位為1，則表示Flash1已經回到ready狀態，這是就可以給Flash1發新的Page Program命令了。然後再給CE2發Status Read命令確認Flash2的狀態，ready之後可以發新的Page Program命令。
第(2)種方法效率更高一些。